SK海力士ADR获数倍超额认购 存储芯片超级景气周期延续

时间：2026年07月09日 09:00:47 中财网

　　据财联社消息，据媒体援引消息人士报道，韩国存储芯片巨头SK海力士规模达280亿美元的美国上市交易在周四(7月9日)正式定价前已获数倍超额认购。

　　此次ADR发行规模达280亿美元，为全球规模最大的新股发行之一，发行1779万股普通股、对应1.779亿份ADS，10个ADR对应1股普通股，约1000家机构投资者参加管理层路演电话会议，吸引全球做多型股票基金及科技领域专项投资者踊跃认购，反映全球资本对AI存储产业链的定价共识。

　　SK海力士为全球第二大DRAM厂商及HBM全球市占第一厂商，2026年一季度HBM市场份额达56.4%，NAND闪存(核心股)全球份额18.5%，同期净利润同比增长398%，营业利润率超过70%，深度绑定英伟达形成联合研发关系。

　　存储产能瓶颈方面，SK集团会长近日表示SK海力士计划五年内将晶圆产能翻番，存储芯片产能瓶颈问题或持续至2030年。三星电子2026年一季度净利润同比增长755%、以38%的DRAM份额重返全球第一，存储双雄业绩爆发印证行业处于超级景气周期。

　　此次赴美上市获超额认购的核心逻辑在于AI算力(核心股)需求指数级增长驱动高端存储芯片量价齐升，HBM作为AI训练与推理核心内存组件，需求确定性与供给稀缺性叠加。

　　展望后市，SK海力士产能扩张计划驱动全球存储设备投资周期上行，HBM技术迭代加速带动产业链价值量提升，存储芯片超级景气周期延续，国内存储产业链国产替代与配套供应机遇同步释放。

　　具体到A股市场，该事件对存储芯片细分板块形成景气度传导催化。从存储芯片设计环节看，国内NOR Flash及利基型DRAM厂商受益于全球存储价格中枢上移及国产替代加速；从存储模组环节看，模组厂商受益于存储颗粒价格上涨带来的库存增值及出货量增长；从存储封测环节看，HBM及先进封装需求驱动封测产能扩张，国内封测企业配套能力提升；从存储设备环节看，SK海力士五年产能翻番计划驱动全球存储产线设备投资上行，国内半导体(核心股)设备厂商切入存储产线供应链机会增大。