存储巨头扩产潮起 半导体设备迎来黄金期

时间：2026年07月13日 20:31:01 中财网

　　数据显示，美光宣布2035年前投资将超过2500亿美元，较此前计划大幅上调500亿，重点在美国布局DRAM产能。韩国政府联合三星、SK集团推出4755万亿韩元大规模投资计划，重点发展半导体和AI数据中心。这些信息显示全球存储原厂资本开支正在持续上修。

　　
　　一份研报观点认为，AI爆发引发HBM及高容量存储需求激增，推动存储厂商从传统数量扩张转向以TSV、混合键合等先进制程为核心的结构性扩产，直接提升全球资本开支中枢。研报指出，美光2026财年资本开支有望超过250亿美元，同比增长超80%，三星2026年总投资将突破110万亿韩元，SK海力士2026年资本开支也将保持大幅增长。

　　
　　研报认为，HBM对通用DRAM产能的持续挤占是本轮景气延续的关键支撑。数据显示，HBM晶圆投入占DRAM总投入比重将从2025年的约18%提升至2027年的约30%。由于HBM单位比特所需产能是常规DDR5的2.5至3倍，通用DRAM有效供给将被结构性压缩，这将延长行业景气周期并推动厂商加快先进产能建设。

　　
　　随着3D NAND向300层以上堆叠以及HBM制程升级，沉积、刻蚀和量检测等关键设备投资强度显著提高。这些环节工艺复杂度提升将带来更高设备价值量，为相关半导体设备厂商带来持续订单增长机会。