玻璃基板加速替代ABF 芯片封装新拐点已至
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时间:2026年10月13日 09:16:28 中财网 |
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CFi.CN讯:数据显示,玻璃基板在IC封装中渗透率3年内将达30%,5年超50%。三星电机已展出150mm×150mm Glass-Core基板,支持30层线路;京东方实现深宽比15:1的TGV通孔,24层积层布线;英特尔良率突破95%,台积电CoPoS路线明确2028年试产、2030年后量产。
近期机构研报指出,玻璃基板正从技术验证迈入产业化临界点,核心
驱动力是AI芯片对高密度、低损耗、耐高温封装的刚性需求。研报认为,ABF载板长期受制于材料瓶颈和产能垄断,而玻璃基板可缓解热应力、提升布线密度,尤其适配英伟达GPU及HBM堆叠升级路径。
研报指出,TGV通孔工艺虽为当前瓶颈,但京东方已拉通全流程,英特尔实现无微裂纹突破,意味着量产良率障碍正在快速化解。设备端优先受益,
帝尔激光、
汇成真空等具备TGV激光钻孔与真空镀膜技术储备,订单弹性显著。
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